新（xīn）能源汽车、智能电网、光伏风电、5G通信……无论（lùn）是在产业（yè）发（fā）展的重要（yào）领（lǐng）域，还是在日常电子产（chǎn）品中，都离不开碳化硅MOSFET（金属氧化物半导（dǎo）体场效应晶体管（guǎn））等功率（lǜ）电子器件。随（suí）着市场需求激增，为进一步降低生产成本，更好地满足大规模生产需求，8英寸（cùn）及以上大尺寸碳化（huà）硅衬底成（chéng）为技术攻关的重点（diǎn）。

　　电科装备坚持“装备+工艺+服（fú）务”理念，紧盯（dīng）大尺（chǐ）寸（cùn）发展（zhǎn）趋势，自主研（yán）发了多款碳化硅衬底材料加（jiā）工关键装备，形（xíng）成大尺寸加工智能解决方案，以线带面，赋能我国化合物半（bàn）导（dǎo）体（tǐ）产业优化升级。

　　冠军产（chǎn）品（pǐn）发挥集成优势

　　产线竞争优势从何（hé）而来（lái）？降（jiàng）低成本、提高效率、扩大产能是关键（jiàn）。

　　基于（yú）对产业（yè）链需求的精准把握，电科装备直击（jī）行业痛点，培育了晶（jīng）锭（dìng）减薄设备、激光剥离设备、晶（jīng）片减（jiǎn）薄设备（bèi）、化（huà）学机械抛光设备等明星产品，形成（chéng）8至12英（yīng）寸碳化硅（guī）材料加工智能解决方（fāng）案。

　　“我们是国（guó）内首个同时（shí）具备（bèi）四（sì）种设备且（qiě）提供智能集（jí）成（chéng）服务的供（gòng）应商。”电科专（zhuān）家表示，“在加工（gōng）效率方面，该解决（jué）方案可将单片（piàn）加工时间由90分钟（zhōng）缩短到25分钟左右；在成本控制方面，将单片损失（shī）从220微米减（jiǎn）少（shǎo）到80微米（mǐ），每个（gè）晶锭可切（qiē）割晶片的数量约为（wéi）现（xiàn）有工艺的1.4倍，有效解决当（dāng）前的效率和成本痛点（diǎn）。”

　　高度智能实现（xiàn）协同效应

　　在（zài）碳化（huà）硅衬底生产线上（shàng），电科（kē）装（zhuāng）备的加工智能解决方案因其高度自动化，实（shí）现了设备与产线（xiàn）的完（wán）美融合。

　　与传（chuán）统的材料加工自动（dòng）化程度（dù）不（bú）高、重点依赖人（rén）力相比，该方案四个核（hé）心设备（bèi）都具（jù）备高度自动（dòng）化能力，且在生产过程中可（kě）通过搬（bān）送机器人等实现机台间（jiān）的物料传输，实现多工序协同（tóng）工作，进一步减少等（děng）待时间，缩短产品生产周期，提高（gāo）整体生（shēng）产效率。

　　同时，自动化生产流程能让（ràng）人为误差降（jiàng）至最低，保障产品良率和一致性，配套的全（quán）流程数据记录与分析也更利于工程师快（kuài）速定位质量（liàng）问题根源，不（bú）断改进生产工艺，为半导体产业发展带（dài）来更多增（zēng）值（zhí）空间。

　　全（quán）新（xīn）工艺加速产能释放

　　“如今碳（tàn）化硅行业价格战打得（dé）火（huǒ）热，面对愈演愈烈的竞争形势，我们致（zhì）力于开发新技术新工（gōng）艺，为客户提（tí）供更优质的解决方案来降低制造成本，而不是（shì）在低效的价格内卷中停（tíng）滞不前。”专家表示（shì）。

　　在该解决方案中，电科装备采用最新激光（guāng）剥离工艺（yì）进行晶体切片，相较于传统加工产线采（cǎi）用的多线切割晶体切片技术（shù），激光剥离（lí）设备可（kě）以使（shǐ）激光聚焦在碳化硅晶（jīng）体内部（bù）诱导产生一层裂纹，从（cóng）而（ér）避免了传统多线切割造（zào）成的切割线损，平（píng）均每片（piàn）切割研磨损耗仅为原（yuán）来的40%左右，显（xiǎn）著降低加工成本。 目前该解决方案已获得市场（chǎng）积极反馈，进入用（yòng）户产（chǎn）线开展试验验证，并（bìng）与（yǔ）多家（jiā）头部企业达成（chéng）意向合作。

　　“这（zhè）是一次装备、工艺、服务全面整合升级的大胆实践。”专家（jiā）表示，未来电科装备将（jiāng）不（bú）断优化该解（jiě）决方案，坚持创新驱动，以技术创新推动产业创新（xīn），为我国化合物半导（dǎo）体产业的（de）高（gāo）质量发展贡（gòng）献力量。